AMI Semiconductor NTD18N06-1G

底架

表面贴装

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

引脚数

6

供应商器件包装

I-PAK

Watchdog Timers

无

RoHS

Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

18A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Power Dissipation (Max)

2.1W (Ta), 55W (Tj)

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

包装

Tube

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

696 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

0 V

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

60 mOhm @ 9A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

710pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

30nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

±20V

最小复位阈值电压

2.55 V

最大复位阈值电压

2.7 V

场效应管特性

-