AMI Semiconductor NTGS3441PT1G
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NTGS3441PT1G
137-NTGS3441PT1G
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6
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NTGS3441PT1G datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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NTGS3441PT1G详情
AMI Semiconductor NTGS3441PT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6
供应商器件包装
6-TSOP
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
1.8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)
510mW (Ta)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
包装
Tape & Reel (TR)
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
110 mOhm @ 3A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.6V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
345pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
场效应管特性
-
NTGS3441PT1G拓展信息
AMI Semiconductor
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