AMI Semiconductor NTP8G202NG

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

供应商器件包装

TO-220-3

Lead Free Status / RoHS Status

Lead free / RoHS Compliant

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

9A (Tc)

Other Names

NTP8G202NGOS

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

8V

Power Dissipation (Max)

65W (Tc)

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

包装

Tube

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

技术

GaNFET (Gallium Nitride)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

350 mOhm @ 5.5A, 8V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.6V @ 500µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

760pF @ 400V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.3nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

±18V

场效应管特性

-