AMI Semiconductor P2N2907ARL1
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P2N2907ARL1
137-P2N2907ARL1
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
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P2N2907ARL1 datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
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P2N2907ARL1详情
AMI Semiconductor P2N2907ARL1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
供应商器件包装
TO-92-3
RoHS
Non-Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Contains lead / RoHS non-compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
包装
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
容差
1 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
温度系数
100 ppm/°C
电阻
22.1 kΩ
组成
Metal Film
额定功率
500 mW
最大功率耗散
500 mW
基本部件号
P2N2907
功率 - 最大
625mW
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
最大集极截止电流
10nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
1.6V @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
60V
频率转换
200MHz
特征
Flame Retardant Coating, Military, Moisture Resistant
宽度
4.57 mm
长度
14.2748 mm
无铅
含铅
P2N2907ARL1拓展信息
AMI Semiconductor
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