AMI Semiconductor SBCP56T1G
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SBCP56T1G
137-SBCP56T1G
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-261-4, TO-261AA
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SBCP56T1G datasheet pdf and Transistors - Bipolar (BJT) - Single product details from AMI Semiconductor stock available at utmel
1最小包装量--
SBCP56T1G详情
AMI Semiconductor SBCP56T1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装
SOT-223-3
Voltage, Rating
150 V
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Current-Collector (Ic) (Max)
1A
Other Names
SBCP56T1G-ND SBCP56T1GOSTR
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
Tape & Reel (TR)
容差
0.5 %
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
温度系数
25 ppm/°C
电阻
4.17 kΩ
最高工作温度
155 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Thin Film
额定功率
250 mW
基本部件号
BCP56
功率 - 最大
1.5W
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
40 @ 150mA, 2V
最大集极截止电流
100nA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 50mA, 500mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
80V
频率转换
130MHz
高度
650 µm
SBCP56T1G拓展信息
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