ELVE-B010G-HKND-C-PTE3详情
Amphenol ELVE-B010G-HKND-C-PTE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-70, SOT-323
供应商器件包装
SC-70-3
Package
Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;
Base Product Number
SI1305
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
860mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
厂商
Vishay Siliconix
Power Dissipation (Max)
290mW (Ta)
Product Status
Obsolete
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
TrenchFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
280mOhm @ 1A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
450mV @ 250µA (Min)
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
4 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)
8 V
Vgs(最大值)
±8V
场效应管特性
-
ELVE-B010G-HKND-C-PTE3拓展信息








哦! 它是空的。