ELVE-B010G-HKND-C-PTE3
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Amphenol ELVE-B010G-HKND-C-PTE3

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型号

ELVE-B010G-HKND-C-PTE3

品牌

Amphenol

utmel 编号

143-ELVE-B010G-HKND-C-PTE3

商品类别

无类别的

封装

SC-70, SOT-323

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

10 Bar Gauge, SPI Output, Commercial Grade, Parylene, 3 Vdc

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ELVE-B010G-HKND-C-PTE3 Amphenol 10 Bar Gauge, SPI Output, Commercial Grade, Parylene, 3 Vdc

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ELVE-B010G-HKND-C-PTE3详情

Amphenol ELVE-B010G-HKND-C-PTE3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-70, SOT-323

  • 供应商器件包装

    SC-70-3

  • Package

    Tape & Reel (TR);Cut Tape (CT);Digi-Reel®;

  • Base Product Number

    SI1305

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    860mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.8V, 4.5V

  • 厂商

    Vishay Siliconix

  • Power Dissipation (Max)

    290mW (Ta)

  • Product Status

    Obsolete

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    TrenchFET®

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    P-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    280mOhm @ 1A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    450mV @ 250µA (Min)

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    8 V

  • Vgs(最大值)

    ±8V

  • 场效应管特性

    -

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ELVE-B010G-HKND-C-PTE3拓展信息

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