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首页 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 射频 BLF7G10L-250,112
BLF7G10L-250,112
BLF7G10L-250,112

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Ampleon USA Inc. BLF7G10L-250,112

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型号

BLF7G10L-250,112

品牌

Ampleon USA Inc.

utmel 编号

144-BLF7G10L-250,112

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

SOT-502A

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A

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BLF7G10L-250,112
BLF7G10L-250,112 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 19.5DB SOT502A

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技术参数

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Ampleon USA Inc. BLF7G10L-250,112重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 包装/外壳

    SOT-502A

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • Voltage Rated

    65V

  • 包装

    Tray

  • 已出版

    2011

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    2

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    FLAT

  • 峰值回流焊温度（摄氏度）

    未说明

  • Reach合规守则

    unknown

  • 频率

    920MHz~960MHz

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 基本部件号

    BLF7G10

  • 参考标准

    IEC-60134

  • JESD-30代码

    R-CDFM-F2

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    SOURCE

  • 测试电流

    1.8A

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 晶体管类型

    LDMOS

  • 增益

    19.5dB

  • DS 击穿电压-最小值

    65V

  • 功率 - 输出

    60W

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 电压-测试

    30V

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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公司资质

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