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1

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10

￥5286.004139
100

￥4986.796351
500

￥4704.524865
1000

￥4438.231

Ampleon USA Inc. BLS7G3135LS-350P,1

Name: BLS7G3135LS-350P,1
Brand: Ampleon USA Inc.
SKU: 144-BLS7G3135LS-350P,1
Price: 5603.16 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

BLS7G3135LS-350P,1

品牌

Ampleon USA Inc.

utmel 编号

144-BLS7G3135LS-350P,1

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 射频

封装

SOT539B

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B

起订量

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BLS7G3135LS-350P,1 Ampleon USA Inc. RF FET LDMOS 65V 10DB SOT539B

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BLS7G3135LS-350P,1详情

技术参数

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Ampleon USA Inc. BLS7G3135LS-350P,1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

13 Weeks
包装/外壳

SOT539B
表面安装

YES
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

2
Voltage Rated

65V
包装

Tray
已出版

2011
零件状态

不用于新设计
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

4
ECCN 代码

EAR99
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

unknown
频率

3.5GHz
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
参考标准

IEC-60134
JESD-30代码

R-CDFP-F4
配置

COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
操作模式

增强型MOSFET
测试电流

200mA
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

N-CHANNEL
晶体管类型

LDMOS (Dual), Common Source
增益

10dB
DS 击穿电压-最小值

65V
功率 - 输出

320W
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电压-测试

32V
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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技术文档: Ampleon USA Inc. BLS7G3135LS-350P,1.

数据表 :
BLS7G3135L(S)-350P

BLS7G3135LS-350P,1拓展信息

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