DS1220AB-100IND
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Analog Devices DS1220AB-100IND

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型号

DS1220AB-100IND

utmel 编号

153-DS1220AB-100IND

商品类别

存储器

封装

24-DIP Module (0.600, 15.24mm)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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DS1220AB-100IND Analog Devices IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP

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DS1220AB-100IND详情

Analog Devices DS1220AB-100IND重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    24-DIP Module (0.600, 15.24mm)

  • 触点镀层

    Tin

  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    24

  • 供应商器件包装

    24-EDIP

  • Package

    Tube

  • Base Product Number

    DS1220A

  • 厂商

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • Product Status

    Obsolete

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • RoHS

    Compliant

  • Maximum Operating Temperature

    + 85 C

  • Supply Voltage-Max

    5.25 V

  • Minimum Operating Temperature

    - 40 C

  • Supply Voltage-Min

    4.75 V

  • Interface Type

    Parallel

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 系列

    -

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    4.75V ~ 5.25V

  • 频率

    100 GHz

  • 工作电源电压

    5 V

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    5.25 V

  • 最小电源电压

    4.75 V

  • 内存大小

    16Kbit

  • 工作电源电流

    85 mA

  • 访问时间

    100 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    8 b

  • 组织结构

    2 k x 8

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    100ns

  • 密度

    16 kb

  • 总长度

    80mm

  • 组织的记忆

    2K x 8

  • 辐射硬化

  • 无铅

    含铅

0个相似型号

技术文档: Analog Devices DS1220AB-100IND.

DS1220AB-100IND拓展信息

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DS1270AB-70IND#
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