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Analog Devices DS1258AB-70IND#

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型号

DS1258AB-70IND#

utmel 编号

153-DS1258AB-70IND#

商品类别

存储器

封装

DO-201AD, Axial

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Non-Volatile SRAM Module, 128KX16, 70ns, CMOS

起订量

1最小包装量--

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DS1258AB-70IND# Analog Devices Non-Volatile SRAM Module, 128KX16, 70ns, CMOS

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DS1258AB-70IND#详情

Analog Devices DS1258AB-70IND#重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    DO-201AD, Axial

  • 引脚数

    40

  • 供应商器件包装

    DO-201AD

  • RoHS

    Compliant

  • Memory Types

    Non-Volatile, RAM, SRAM

  • Package

    Box

  • Base Product Number

    DS1258AB

  • 厂商

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • Product Status

    Obsolete

  • 系列

    --

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    -40°C ~ 85°C (TA)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 最高工作温度

    85 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 技术

    NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

  • 电压 - 供电

    4.75V ~ 5.25V

  • 基本部件号

    BY500-800

  • 界面

    Parallel

  • 最大电源电压

    5.25 V

  • 最小电源电压

    4.75 V

  • 内存大小

    256 kB

  • 速度

    Fast Recovery = 200mA (Io)

  • 二极管类型

    Standard

  • 反向泄漏电流@ Vr

    10µA @ 800V

  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

    1.35V @ 5A

  • 访问时间

    70 ns

  • 内存格式

    NVSRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 数据总线宽度

    16 b

  • 工作温度 - 结点

    125°C (Max)

  • 电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)

    800V

  • 平均整流电流(Io)

    5A

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    70ns

  • 电容@Vr, F

    28pF @ 4V, 1MHz

  • 反向恢复时间(trr)

    200ns

  • 组织的记忆

    128K x 16

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