MAT12AHZ
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Analog Devices Inc. MAT12AHZ

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型号

MAT12AHZ

utmel 编号

153-MAT12AHZ

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列

封装

TO-78-6 Metal Can

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar (BJT) Array Transistor, NPN, 40 V, 20 mA, 300, TO-78 ;RoHS Compliant: Yes

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MAT12AHZ
MAT12AHZ Analog Devices Inc. Bipolar (BJT) Array Transistor, NPN, 40 V, 20 mA, 300, TO-78 ;RoHS Compliant: Yes

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MAT12AHZ详情

Analog Devices Inc. MAT12AHZ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    PRODUCTION (Last Updated: 1 week ago)

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 触点镀层

    Gold

  • 底架

    通孔

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-78-6 Metal Can

  • 引脚数

    6

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    40V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    50mV

  • Number of Elements

    2

  • hFEMin

    200

  • 操作温度

    -65°C~150°C TJ

  • 包装

    Box

  • 无铅代码

    no

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    6

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    WIRE

  • 频率

    200MHz

  • 引脚数量

    6

  • 极性

    NPN

  • 元素配置

    Dual

  • 箱体转运

    SUBSTRATE

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 增益带宽积

    200MHz

  • 晶体管类型

    2 NPN (Dual) Matched Pair

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    40V

  • 最大集电极电流

    20mA

  • 最大集极截止电流

    500pA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    200mV @ 100μA, 1mA

  • 转换频率

    200MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    40V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    40V

  • 最小直流增益(hFE)

    300

  • 直径

    9.4mm

  • 高度

    4.7mm

  • 达到SVHC

    无SVHC

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    ROHS3 Compliant

  • 无铅

    含铅

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MAT12AHZ拓展信息

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