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AP20P02SI

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A Power microelectronics AP20P02SI

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对比

型号

AP20P02SI

品牌

A Power microelectronics

utmel 编号

1604-AP20P02SI

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

20V 20A 431W 32mΩ@4.5V,4.9A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-89-3L MOSFETs ROHS

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AP20P02SI

AP20P02SI A Power microelectronics 20V 20A 431W 32mΩ@4.5V,4.9A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-89-3L MOSFETs ROHS

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AP20P02SI详情

技术参数

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A Power microelectronics AP20P02SI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

20V
Power Dissipation (Pd)

431W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

32mΩ@4.5V,4.9A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

1V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

108pF@15V
Input Capacitance (Ciss@Vds)

857nF@15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)

[email protected]
Package

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55℃~+150℃@(Tj)
类型

1 Piece P-Channel
Continuous Drain Current (Id)

20A

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