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AP3P10MI

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A Power microelectronics AP3P10MI

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对比

型号

AP3P10MI

品牌

A Power microelectronics

utmel 编号

1604-AP3P10MI

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100V 3A 1.5W 260mΩ@10V,3A 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS

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AP3P10MI

AP3P10MI A Power microelectronics 100V 3A 1.5W 260mΩ@10V,3A 1.9V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS

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AP3P10MI详情

技术参数

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A Power microelectronics AP3P10MI重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

100V
Power Dissipation (Pd)

1.5W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

260mΩ@10V,3A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

1.9V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

35pF@15V
Input Capacitance (Ciss@Vds)

550pF@15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)

[email protected]
Package

Tape & Reel (TR)
操作温度

-55℃~+150℃@(Tj)
类型

1 Piece P-Channel
Continuous Drain Current (Id)

3A

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