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AP5N20D-H

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A Power microelectronics AP5N20D-H

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对比

型号

AP5N20D-H

品牌

A Power microelectronics

utmel 编号

1604-AP5N20D-H

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

200V 5A 530mΩ@10V,2.5A 46W 3.1V@250uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

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AP5N20D-H

AP5N20D-H A Power microelectronics 200V 5A 530mΩ@10V,2.5A 46W 3.1V@250uA 1 N-Channel TO-252-3 MOSFETs ROHS

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AP5N20D-H详情

技术参数

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A Power microelectronics AP5N20D-H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
Package

Tape & Reel (TR)
Total Gate Charge (Qg@Vgs)

18nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)

228pF@25V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

17pF@25V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

3.1V@250uA
Power Dissipation (Pd)

46W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

530mΩ@10V,2.5A
Drain Source Voltage (Vdss)

200V
RoHS

true
操作温度

-55℃~+150℃@(Tj)
类型

1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)

5A

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