Banner Engineering AP3N1R8MT

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

AP3N1R8MT

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F

Risk Rank

5.67

Drain Current-Max (ID)

100 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

端子位置

DUAL

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-F

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0036 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

300 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

28.8 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR