Bergquist BG405792

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

供应商器件包装

8-SO

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

International Rectifier

Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)

Product Status

活跃

Dielectric Strength

-

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

HEXFET®

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7mOhm @ 15A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

3100 pF @ 10 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

42 nC @ 4.5 V

漏源电压 (Vdss)

20 V

Vgs（最大值）

±20V

导热性能

0.8W/m.K

场效应管特性

-

器件厚度

1.52mm