BI Technologies OP599D

底架

通孔

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

RoHS

Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

100 °C

最小工作温度

-40 °C

最大功率耗散

100 mW

方向

顶视图

极性

NPN

功率耗散

100 mW

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

50 mA

波长

890 nm

最大击穿电压

30 V

暗电流

100 nA