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技术文档
型号
OP599D
品牌
BI Technologies
utmel 编号
306-OP599D
商品类别
无类别的
封装
--
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Phototransistor Chip Silicon 890nm 2-Pin T-1 3/4
起订量
1最小包装量--
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OP599D详情
技术参数
PDF文档
BI Technologies OP599D重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
底架
通孔
Collector-Emitter Breakdown Voltage
30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
400 mV
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
100 °C
最小工作温度
-40 °C
最大功率耗散
100 mW
方向
顶视图
极性
NPN
功率耗散
集电极发射器电压(VCEO)
最大集电极电流
50 mA
波长
890 nm
最大击穿电压
暗电流
100 nA
技术文档: BI Technologies OP599D.
OP599D拓展信息
公司资质
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