BI Technologies OPB755T
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OPB755T
306-OPB755T
光学传感器 - 反射式 - 模拟输出
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大陆
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Reflective Object Sensors Reflective Sensor
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OPB755T详情
BI Technologies OPB755T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Panel, Through Hole
引脚数
4
Collector-Emitter Breakdown Voltage
24 V
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
80 °C
最小工作温度
-40 °C
输出类型
Phototransistor
功率耗散
100 mW
正向电流
40 mA
正向电压
1.8 V
集电极发射器电压(VCEO)
24 V
最大集电极电流
30 mA
感应距离
5.588 mm
反向击穿电压
2 V
反向电压
2 V
波长
890 nm
OPB755T拓展信息







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