BI Technologies OPB755T

底架

Panel, Through Hole

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

24 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

最高工作温度

80 °C

最小工作温度

-40 °C

输出类型

Phototransistor

功率耗散

100 mW

正向电流

40 mA

正向电压

1.8 V

集电极发射器电压(VCEO)

24 V

最大集电极电流

30 mA

感应距离

5.588 mm

反向击穿电压

2 V

反向电压

2 V

波长

890 nm