BI Technologies OPB827B

底架

通孔

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

RoHS

Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100 mW

输出电流

30 mA

正向电流

50 mA

正向电压

1.7 V

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

30 mA

感应距离

3.175 mm

波长

890 nm

触摸屏

Infrared (IR)