BI Technologies OPB832W55

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

80 °C

最小工作温度

-40 °C

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100 mW

正向电流

50 mA

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

30 mA

感应距离

3.175 mm

反向击穿电压

2 V