BI Technologies OPB880T51

底架

Chassis Mount, Screw

引脚数

4

Voltage, Rating

100 V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

Number of Elements

1

RoHS

Non-Compliant

包装

Bulk

容差

1 %

温度系数

50 ppm/°C

电阻

1.87 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

额定功率

100 mW

工作电源电压

1.7 V

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100 mW

正向电流

50 mA

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

30 mA

感应距离

3.175 mm

反向击穿电压

2 V

高度

650 µm