BDV64C详情
Bourns BDV64C重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BDV64C
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
康赛特半导体
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
康赛特半导体
Risk Rank
5.76
操作温度
0°C ~ 70°C
系列
SXT324
尺寸/尺寸
0.126 L x 0.098 W (3.20mm x 2.50mm)
类型
兆赫晶体
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
频率
50 MHz
频率稳定性
±25ppm
JESD-30代码
R-PSFM-T3
ESR(等效串联电阻)
35 Ohms
配置
DARLINGTON
负载电容
21pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±25ppm
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
集电极电流-最大值(IC)
12 A
最小直流增益(hFE)
1000
集电极-发射器电压-最大值
120 V
座位高度(最大)
0.031 (0.80mm)
评级结果
-
BDV64C拓展信息








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