注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档
型号
CR0805AJW-111EAS
品牌
Bourns
utmel 编号
337-CR0805AJW-111EAS
商品类别
无类别的
封装
4-DIP (0.300, 7.62mm)
交货地
大陆
交期(工作日)
立即发货
ROHS
ECAD
简介
Res Anti-Sulfured Thick Film 0805 110 Ohm 5% 1/8W ±200ppm/°C Molded Paper T/R
起订量
1最小包装量--
请发送询价,我们将立即回复。
CR0805AJW-111EAS详情
技术参数
Bourns CR0805AJW-111EAS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
安装类型
通孔
包装/外壳
供应商器件包装
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Package
Bulk
Base Product Number
IRFD310
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
350mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Harris Corporation
Power Dissipation (Max)
1W (Ta)
Product Status
活跃
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
3.6Ohm @ 210mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
170 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
17 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
400 V
Vgs(最大值)
±20V
场效应管特性
CR0805AJW-111EAS拓展信息
公司资质
购物车 (0件产品)