Bourns Inc. BD245C-S

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-218-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1993

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

80W

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

基本部件号

BD245

引脚数量

3

资历状况

不合格

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

80W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

3W

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

10A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

4 @ 10A 4V

最大集极截止电流

700μA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

4V @ 2.5A, 10A

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

ROHS3 Compliant