Bourns Inc. BD543C-S

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Number of Elements

1

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1993

JESD-609代码

e1

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

70W

基本部件号

BD543

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

70W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2W

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

15 @ 5A 4V

最大集极截止电流

700μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 1.6A, 8A

集电极基极电压(VCBO)

100V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant