Bourns Inc. BD649-S

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

100V

Collector-Emitter Saturation Voltage

2V

Number of Elements

1

hFEMin

750

操作温度

-65°C~150°C TJ

包装

Tube

已出版

1993

JESD-609代码

e1

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡银铜

最大功率耗散

2W

基本部件号

BD649

引脚数量

3

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

62.5W

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

2W

晶体管类型

NPN - Darlington

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

8A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

750 @ 3A 3V

最大集极截止电流

500μA

JEDEC-95代码

TO-220AB

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

2.5V @ 50mA, 5A

集电极基极电压(VCBO)

120V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

高度

9.3mm

长度

10.4mm

宽度

4.7mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant