Broadcom Limited 4N55/883B

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Gold

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

16-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

16

Current Transfer Ratio-Min

9% @ 16mA

Number of Elements

2

Usage Level

Military grade

操作温度

-55°C~125°C

包装

Tube

已出版

2012

JESD-609代码

e4

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

ECCN 代码

EAR99

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.40.80.00

最大功率耗散

200mW

基本部件号

4N55

电压-隔离度

1500VDC

输出电压

20V

输出类型

带基极晶体管

电源电压-最小值(Vsup)

2V

配置

COMPLEX

通道数量

2

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.55V

输入类型

DC

光电子器件类型

逻辑IC输出光耦合器

正向电流

20mA

最大输出电压

18V

数据率

0.4 MBps

每个通道的输出电流

8mA

最大集电极电流

8mA

反向击穿电压

5V

正向电压-最大值

1.8V

最大输入电流

20mA

输入电流

20mA

接通 / 关断时间（典型值）

400ns, 1μs

电流传输比

20 %

滞后比-Nom

0.0125

RoHS状态

ROHS3 Compliant