Broadcom Limited AT-41511-TR1G
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AT-41511-TR1G
354-AT-41511-TR1G
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
TO-253-4, TO-253AA
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AVAGO TECHNOLOGIES AT-41511-TR1G Bipolar - RF Transistor, NPN, 12 V, 10 GHz, 225 mW, 50 mA, 150
1最小包装量--
AT-41511-TR1G详情
Broadcom Limited AT-41511-TR1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Gold
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-253-4, TO-253AA
引脚数
4
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Number of Elements
1
hFEMin
30
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e3
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
4
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
附加功能
HIGH RELIABILITY
电压 - 额定直流
1.5V
最大功率耗散
225mW
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
50mA
频率
10GHz
基本部件号
AT41511
配置
SINGLE
功率耗散
225mW
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
50mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 5mA 5V
增益
11dB ~ 15.5dB
转换频率
10GHz
最大击穿电压
12V
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
1.5V
连续集电极电流
50mA
噪音数字(分贝类型@ f)
1dB ~ 1.7dB @ 900MHz ~ 2.4GHz
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
AT-41511-TR1G拓展信息
Broadcom Limited
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