Broadcom Limited AT-41500-GP4
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AT-41500-GP4
354-AT-41500-GP4
晶体管 - 双极(BJT)- 射频
Die
大陆
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Transistors RF Bipolar Transistor Si
1最小包装量--
AT-41500-GP4详情
Broadcom Limited AT-41500-GP4重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
Die
引脚数
2
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Number of Elements
1
操作温度
200°C TJ
包装
Tray
已出版
2009
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
2
ECCN 代码
EAR99
最大功率耗散
500mW
端子位置
UPPER
频率
8GHz
配置
SINGLE
功率耗散
500mW
晶体管应用
AMPLIFIER
增益带宽积
8 GHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
60mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
30 @ 10mA 8V
增益
8dB ~ 17dB
转换频率
8000MHz
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
1.5V
连续集电极电流
60mA
噪音数字(分贝类型@ f)
1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
AT-41500-GP4拓展信息
Broadcom Limited
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