Broadcom Limited HCPL-814-000E

工厂交货时间

17 Weeks

触点镀层

Tin

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

4

供应商器件包装

4-DIP

Breakdown Voltage / V

35V

Collector-Emitter Breakdown Voltage

35V

Collector-Emitter Saturation Voltage

200mV

Current Transfer Ratio-Min

20% @ 1mA

Number of Elements

1

操作温度

-30°C~100°C

包装

Tube

已出版

2005

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-30°C

最大功率耗散

200mW

审批机构

CSA, UL, VDE

电压-隔离度

5000Vrms

输出电压

35V

输出类型

Transistor

通道数量

1

电路数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.2V

输入类型

AC, DC

正向电流

50mA

最大输出电压

35V

每个通道的输出电流

50mA

上升时间

18μs

正向电压

1.2V

下降时间（典型值）

18 μs

集电极发射器电压(VCEO)

200mV

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

4μs 3μs

最大输入电流

50mA

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

20mA

电流传输比（最大）

300% @ 1mA

Vce 饱和度（最大值）

200mV

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅