California Micro Devices 2114-UCE
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2114-UCE
1604-2114-UCE
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Description: Standard SRAM, 1KX4, 450ns, MOS, CDIP18,
1最小包装量--
2114-UCE详情
California Micro Devices 2114-UCE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
18
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
CALIFORNIA MICRO DEVICES CORP
Package Description
DIP, DIP18,.3
Access Time-Max
450 ns
Number of Words
1024 words
Number of Words Code
1000
Operating Temperature-Max
70 °C
Package Body Material
CERAMIC
Package Code
DIP
Package Equivalence Code
DIP18,.3
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
HTS代码
8542.32.00.41
端子位置
DUAL
终端形式
THROUGH-HOLE
端子间距
2.54 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-XDIP-T18
资历状况
不合格
温度等级
COMMERCIAL
操作模式
ASYNCHRONOUS
组织结构
1KX4
输出特性
3-STATE
内存宽度
4
记忆密度
4096 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
2114-UCE拓展信息
Exel Microelectronics Inc
IC Microsystems Sdn Bhd
Exel Microelectronics Inc
United Microelectronics Corporation
Inova Microelectronics Corp
United Microelectronics Corporation
United Microelectronics Corporation
United Microelectronics Corporation
IC Microsystems Sdn Bhd
Exel Microelectronics Inc







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