Catalyst Semiconductor CAT25C09LE-G

表面安装

NO

终端数量

8

Voltage, Rating

150 V

Package Description

DIP,

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

CAT25C09LE-G

Clock Frequency-Max (fCLK)

5 MHz

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.83

Part Package Code

DIP

容差

0.25 %

ECCN 代码

EAR99

温度系数

100 ppm/°C

电阻

1.82 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

HTS代码

8542.32.00.51

额定功率

500 mW

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDIP-T8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

6 V

温度等级

AUTOMOTIVE

电源电压-最小值(Vsup)

2.5 V

操作模式

SYNCHRONOUS

组织结构

1KX8

座位高度-最大

4.57 mm

内存宽度

8

记忆密度

8192 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

SPI

写入周期时间 - 最大值

5 ms

高度

650 µm

宽度

7.62 mm

长度

9.59 mm