Catalyst Semiconductor CAT35C116P

表面安装

NO

终端数量

8

RoHS

有

Mounting

PCB

Package Description

DIP, DIP8,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP8,.3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CAT35C116P

Clock Frequency-Max (fCLK)

3 MHz

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Catalyst Semiconductor

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

CATALYST SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

8.83

Part Package Code

DIP

系列

MCS MIDIá

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

3 WIRE INTERFACE

HTS代码

8542.32.00.51

子类别

EEPROMs

螺距

7,5 mm

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDIP-T8

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

注意

n/a

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.003 mA

组织结构

2KX8

座位高度-最大

4.57 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00001 A

记忆密度

16384 bit

并行/串行

SERIAL

内存IC类型

EEPROM

串行总线类型

3-WIRE

耐力

100000 Write/Erase Cycles

写入周期时间 - 最大值

5 ms

数据保持时间

100

写入保护

HARDWARE/SOFTWARE

备用内存宽度

16

宽度

7.62 mm

长度

9.27 mm