NE68819-T1-A
NE68819-T1-A

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

CEL NE68819-T1-A

  • 收藏
  • 对比

型号

NE68819-T1-A

品牌

CEL

utmel 编号

414-NE68819-T1-A

商品类别

晶体管 - 双极(BJT)- 射频

封装

SOT-523

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
NE68819-T1-A
NE68819-T1-A CEL TRANSISTOR NPN 2GHZ SMD

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

NE68819-T1-A详情

CEL NE68819-T1-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-523

  • 引脚数

    3

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    6V

  • Number of Elements

    1

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • JESD-609代码

    e6

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 端子表面处理

    Tin/Bismuth (Sn/Bi)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -65°C

  • 最大功率耗散

    125mW

  • 频率

    1GHz

  • 基本部件号

    NE68819

  • 元素配置

    Single

  • 功率耗散

    125mW

  • 输出功率

    125mW

  • 晶体管类型

    NPN

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    6V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    80 @ 3mA 1V

  • 增益

    4 dB

  • 最大击穿电压

    6V

  • 频率转换

    5GHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    9V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    2V

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 噪音数字(分贝类型@ f)

    1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

  • 辐射硬化

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

技术文档: CEL NE68819-T1-A.

NE68819-T1-A拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z