NE85633-T1B-R25-A详情
CEL NE85633-T1B-R25-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
引脚数
3
供应商器件包装
SOT-23
质量
200.998119mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
12V
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
Number of Elements
1
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-65°C
最大功率耗散
200mW
频率
1GHz
基本部件号
NE85633
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
200mW
功率 - 最大
200mW
增益带宽积
7 GHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
12V
最大集电极电流
100mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
125 @ 20mA 10V
增益
11.5dB
电压 - 集射极击穿(最大值)
12V
最高频率
7GHz
最大击穿电压
12V
频率转换
7GHz
集电极基极电压(VCBO)
20V
发射极基极电压 (VEBO)
3V
连续集电极电流
100mA
噪音数字(分贝类型@ f)
1.1dB @ 1GHz
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
NE85633-T1B-R25-A拓展信息
CEL
CEL
CEL
CEL
CEL
CEL
CEL
CEL
CEL
CEL










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