2N3495PBFREE
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Central 2N3495PBFREE

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型号

2N3495PBFREE

品牌

Central

utmel 编号

420-2N3495PBFREE

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W

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2N3495PBFREE Central Bipolar Transistors - BJT 120Vcbo 120Vceo 4.5Vebo 100mA 0.6W

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2N3495PBFREE详情

Central 2N3495PBFREE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 生命周期状态

    Production (Last Updated: 3 weeks ago)

  • 底架

    Cable

  • 触点镀层

    Tin

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 端子材料

    Copper

  • 底板材料

    Nickel

  • RoHS

    Compliant

  • Contact Materials

    Copper

  • Transistor Polarity

    PNP

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    500

  • Manufacturer

    Central Semiconductor

  • Brand

    Central Semiconductor

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    METAL

  • Operating Temperature-Min

    -65 °C

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Operating Temperature-Max

    200 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    150 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N3495PBFREE

  • Turn-on Time-Max (ton)

    300 ns

  • Package Shape

    ROUND

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Turn-off Time-Max (toff)

    1000000 ns

  • Risk Rank

    5.75

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • JESD-609代码

    e3

  • 终端

    Receptacle

  • 连接器类型

    Connector, PCB, Signal

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier

  • 子类别

    Transistors

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 方向

    Straight

  • 终端形式

    WIRE

  • 屏蔽/屏蔽

    Unshielded

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-MBCY-W3

  • 配置

    SINGLE

  • 弱电

    Compliant

  • 镀层

    Gold

  • 线规(最大值)

    26 AWG

  • 线规(最小值)

    22 AWG

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 绝缘直径

    1.65 mm

  • 绝缘材料

    Non-Insulated

  • 极性/通道类型

    PNP

  • 产品类别

    BJTs - Bipolar Transistors

  • JEDEC-95代码

    TO-39

  • 孔直径

    3.18 mm

  • 最大耗散功率(Abs)

    3 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.1 A

  • 最小直流增益(hFE)

    40

  • 绝缘电线支架

  • 集电极-发射器电压-最大值

    120 V

  • VCEsat-最大值

    0.35 V

  • 集电极-基极电容-最大值

    6 pF

  • 环境耗散-最大值

    0.6 W

  • 产品类别

    Bipolar Transistors - BJT

  • 长度

    9.652 mm

  • 电镀厚度

    76 µm

  • 辐射硬化

  • 无铅

    不适用

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2N3495PBFREE拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS