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CDM22010-650

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Central CDM22010-650

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对比

型号

CDM22010-650

品牌

utmel 编号

420-CDM22010-650

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

N-Channel Power MOSFET 650V 10A 3-Pin TO-220 Box - Boxed Product (Development Kits) (Alt: CDM22010-650)

起订量

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CDM22010-650

CDM22010-650 Central N-Channel Power MOSFET 650V 10A 3-Pin TO-220 Box - Boxed Product (Development Kits) (Alt: CDM22010-650)

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CDM22010-650详情

技术参数

Central CDM22010-650重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min

-55 °C
Operating Temperature-Max

150 °C
Manufacturer Part Number

CDM22010-650
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

Central Semiconductor Corp
Number of Elements

1
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank

5.68
Drain Current-Max (ID)

10 A
HTS代码

8541.29.00.95
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PSFM-T3
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
JEDEC-95代码

TO-220AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A
漏极-源极导通最大电阻

1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40 A
DS 击穿电压-最小值

650 V
雪崩能量等级（Eas）

608 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

156 W
环境耗散-最大值

2 W

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CDM22010-650拓展信息

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