Central Semiconductor 2N7002BK

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

供应商器件包装

SOT-23

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

115mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

RoHS

Non-Compliant

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Bulk

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

350 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5 Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.59nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

40V

连续放电电流(ID)

115 mA

输入电容

50 pF

场效应管特性

--

最大rds

7.5 Ω