Central Semiconductor 2N7002TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

底架

表面贴装

供应商器件包装

SOT-23

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

115mA (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Power Dissipation (Max)

350mW (Ta)

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

20 ns

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

350 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

通道数量

1

元素配置

Single

接通延迟时间

20 ns

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

7.5 Ohm @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

Vgs（最大值）

40V

连续放电电流(ID)

115 mA

栅极至源极电压(Vgs)

40 V

漏源击穿电压

60 V

输入电容

50 pF

场效应管特性

--

漏源电阻

6.2 Ω

最大rds

7.5 Ω

无铅

无铅