Central Semiconductor CEDM7002AETR
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CEDM7002AETR
420-CEDM7002AETR
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SC-101, SOT-883
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
CEDM7002AETR详情
Central Semiconductor CEDM7002AETR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-101, SOT-883
表面安装
YES
供应商器件包装
SOT-883L
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
300mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 10V
Power Dissipation (Max)
100mW (Ta)
Operating Temperature-Max
150 °C
Manufacturer Part Number
CEDM7002AETR
Manufacturer
Central Semiconductor Corp
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.75
操作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
系列
--
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
子类别
FET 通用电源
技术
MOSFET (Metal Oxide)
Reach合规守则
compliant
配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.4 Ohm @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
50pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
0.5nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)
60V
Vgs(最大值)
20V
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.3 A
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.1 W
场效应管特性
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CEDM7002AETR拓展信息
Central Semiconductor
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Central
Central
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Central
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