CEDM7002AETR
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Central Semiconductor CEDM7002AETR

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型号

CEDM7002AETR

utmel 编号

420-CEDM7002AETR

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-101, SOT-883

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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CEDM7002AETR Central Semiconductor Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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CEDM7002AETR详情

Central Semiconductor CEDM7002AETR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-101, SOT-883

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    SOT-883L

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    300mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V, 10V

  • Power Dissipation (Max)

    100mW (Ta)

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Manufacturer Part Number

    CEDM7002AETR

  • Manufacturer

    Central Semiconductor Corp

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.75

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    --

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 零件状态

    活跃

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 子类别

    FET 通用电源

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • Reach合规守则

    compliant

  • 配置

    Single

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    1.4 Ohm @ 500mA, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    2V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    50pF @ 25V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.5nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    60V

  • Vgs(最大值)

    20V

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    0.3 A

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.1 W

  • 场效应管特性

    --

0个相似型号

CEDM7002AETR拓展信息

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