Central Semiconductor CBAT54STR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-23

二极管元件材料

SILICON

终端数量

3

Current - Average Rectified (Io) (per Diode)

200mA

Package Description

R-PDSO-G3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CBAT54STR

Power Dissipation (Max)

0.35 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

2

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Forward Voltage-Max (VF)

0.24 V

Risk Rank

5.15

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

研磨二极管

技术

SCHOTTKY

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS

速度

Small Signal =

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

2µA @ 25V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

800mV @ 100mA

工作温度 - 结点

-65°C ~ 150°C

输出电流-最大值

0.2 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

30V

Rep Pk反向电压-最大值

30 V

最大非代表Pk前进电流

0.6 A

二极管配置

1 Pair Series Connection

反向恢复时间-最大值

0.005 µs

反向恢复时间(trr)

5ns