Central Semiconductor CDM2208-800FP

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220FP

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

CDM2208-800FP

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

Risk Rank

5.68

Drain Current-Max (ID)

8 A

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Package

Tube

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

8A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Central Semiconductor Corp

Power Dissipation (Max)

57W (Tc)

Product Status

Obsolete

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSFM-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6Ohm @ 4A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1110 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24.45 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

800 V

Vgs（最大值）

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-220AB

漏极-源极导通最大电阻

1.6 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A

DS 击穿电压-最小值

800 V

雪崩能量等级（Eas）

534 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-