Central Semiconductor CDM4-600LRTR13

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

DPAK

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

4A (Tc)

Power Dissipation (Max)

38W (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

RoHS

Compliant

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

CDM4-600LRTR13

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

4 A

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

零件状态

活跃

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

超低电阻

HTS代码

8541.29.00.95

最大功率耗散

38 W

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

950 mOhm @ 2A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

328pF @ 100V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

11.59nC @ 10V

漏源电压 (Vdss)

600V

Vgs（最大值）

30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

0.95 Ω

输入电容

328 pF

DS 击穿电压-最小值

600 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

--

最大rds

950 mΩ

无铅

无铅