CEDM7001BK
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Central Semiconductor CEDM7001BK

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型号

CEDM7001BK

utmel 编号

420-CEDM7001BK

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SC-101, SOT-883

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3

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CEDM7001BK Central Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3

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CEDM7001BK详情

Central Semiconductor CEDM7001BK重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SC-101, SOT-883

  • 底架

    表面贴装

  • 供应商器件包装

    SOT-883

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    100mA (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    1.5V, 4V

  • Power Dissipation (Max)

    100mW (Ta)

  • RoHS

    Compliant

  • 操作温度

    -65°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    --

  • 包装

    Bulk

  • 零件状态

    活跃

  • 最高工作温度

    150 °C

  • 最小工作温度

    -65 °C

  • 最大功率耗散

    100 mW

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    3 Ohm @ 10mA, 4V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    900mV @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    9pF @ 3V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    0.57nC @ 4.5V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20V

  • Vgs(最大值)

    10V

  • 连续放电电流(ID)

    100 mA

  • 输入电容

    9 pF

  • 场效应管特性

    --

  • 最大rds

    3 Ω

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CEDM7001BK拓展信息

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