Central Semiconductor CEDM7001TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

底架

表面贴装

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-883

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Power Dissipation (Max)

100mW (Ta)

RoHS

Compliant

Package Description

HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CEDM7001TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.04

Drain Current-Max (ID)

0.1 A

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

电阻

3 Ω

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

100 mW

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

100 mW

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

3 Ohm @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

900mV @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9pF @ 3V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.57nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

10V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

100 mA

栅极至源极电压(Vgs)

10 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2 A

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

漏源击穿电压

20 V

输入电容

9 pF

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.1 W

场效应管特性

--

漏源电阻

900 mΩ

最大rds

3 Ω

无铅

无铅