Central Semiconductor CEDM8001TR

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-101, SOT-883

表面安装

YES

供应商器件包装

SOT-883

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

100mA (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4V

Power Dissipation (Max)

100mW (Ta)

Package Description

HALOGEN FREE AND ULTRA MINI-3

Package Style

CHIP CARRIER

Package Body Material

UNSPECIFIED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

CEDM8001TR

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Central Semiconductor Corp

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.66

Drain Current-Max (ID)

0.1 A

操作温度

-65°C ~ 150°C (TJ)

系列

--

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

零件状态

活跃

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-XBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

P-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8 Ohm @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.1V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

45pF @ 3V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.66nC @ 4.5V

漏源电压 (Vdss)

20V

Vgs（最大值）

10V

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1 A

漏极-源极导通最大电阻

8 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.1 W

场效应管特性

--