Central Semiconductor CEDM8001VL TR

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

1

ECCN 代码

EAR99

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PBCC-N3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏极-源极导通最大电阻

12Ohm

DS 击穿电压-最小值

20V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR